2025年中国互补场效应晶体管（CFET）技术市场全景调研及投资前景预测分析报告

一、

随着全球半导体技术向更小制程节点演进，传统的FinFET架构正逐渐逼近其物理极限。互补场效应晶体管（Complementary FieldEffect Transistor，简称CFET）作为下一代晶体管架构的候选方案之一，因其能够显著缩小芯片面积、提升性能并降低功耗，成为半导体技术研究的热点。2025年，中国半导体产业正处于转型升级的关键阶段，CFET技术的引入与产业化将为中国半导体行业带来新的发展机遇。

本报告旨在全面分析2025年中国CFET技术市场的发展现状、产业链结构、主要企业竞争态势以及未来投资前景，为相关企业和投资者提供具有前瞻性的市场参考。

二、CFET技术概述

CFET是一种将n型和p型晶体管垂直堆叠的新型晶体管结构。相较于传统FinFET和GAAFET（环绕栅极晶体管），CFET的主要优势在于：

1. 更高的集成密度：垂直堆叠结构可有效减少晶体管所占面积，提升芯片单位面积的性能； 2. 更低的功耗：通过优化电流通路，减少漏电流； 3. 更强的设计灵活性：支持多种电路优化和功耗控制策略； 4. 适用于先进制程：尤其在3nm以下节点具备显著优势。

CFET技术是未来2nm以下先进制程的重要支撑，尤其在高性能计算（HPC）、AI芯片、移动终端等领域具有广泛应用前景。

三、中国CFET市场发展现状

1. 政策支持与产业布局

，中国政府持续加大对半导体产业的政策扶持，出台了包括《“十四五”集成电路产业发展规划》《中国制造2025》等在内的多项政策，鼓励关键技术自主创新。CFET作为未来先进逻辑工艺的重要方向，被纳入国家重点研发计划与专项基金支持范围。

2. 研发投入持续加大

国家集成电路产业投资基金（大基金）、各地方政府引导基金以及头部半导体企业纷纷加大对CFET等前沿技术的研发投入。以中芯国际（SMIC）、华为海思、长江存储为代表的龙头企业已启动CFET相关技术的预研项目。

3. 产业链配套逐步完善

中国半导体材料、设备与设计工具（EDA）产业的快速进步，为CFET的产业化提供了良好基础。光刻设备、硅片、光刻胶、沉积与蚀刻设备等领域均有本土企业取得突破。

4. 市场规模稳步增长

据不完全统计，2024年中国CFET相关技术研发与设备采购市场规模已超20亿元，预计到2025年将达到35亿元。随着技术逐步成熟，CFET将在2026年后开始进入小批量试产阶段。

四、竞争格局与主要企业分析

1. 中芯国际（SMIC）

作为中国大陆最先进的晶圆代工厂，中芯国际在CFET技术布局上进展迅速，已组建专门研发团队，并与国内科研机构合作开展CFET技术路线图研究。

2. 长江存储

虽然以存储芯片为主业，但长江存储在三维晶体管（3D FET）技术方面积累了丰富经验，为未来CFET技术的垂直堆叠工艺提供了良好基础。

3. 华为海思

作为中国最大的IC设计公司之一，海思在先进芯片设计方面具备深厚积累，正积极与代工伙伴合作，探索基于CFET工艺的下一代AI芯片设计方案。

4. 中科院微电子所、清华大学等科研机构

在基础理论研究、仿真建模与器件结构设计等方面发挥重要作用，推动中国CFET技术的自主创新。

五、产业链与配套体系分析

1. 上游：材料与设备

硅片：以沪硅产业为代表； 光刻胶：彤程新材、晶瑞电材； 光刻设备：上海微电子装备（SMEE）； 沉积与蚀刻设备：北方华创、中微半导体。

2. 中游：芯片制造

中芯国际、长江存储、华虹集团等为主力企业。

3. 下游：终端应用

智能手机（如华为、小米）、AI芯片（寒武纪、壁仞科技）、高性能计算（曙光信息）等领域将成为CFET的主要应用场景。

六、2025年CFET市场发展趋势

1. 技术突破加速推进

2025年，中国将实现CFET技术从实验室研究向中试阶段的过渡，预计20262027年将进入小规模量产阶段。

2. 产业链